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    设备用途:
    用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
    设备组成
    系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶(3个靶)、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
    技术指标:
    1. 极限真空度6.7×10-5Pa; 分子泵满速1小时后真空度达到4×10-4Pa;
    2. 超高真空磁控靶:有效尺寸3英寸,数量:3支,永磁靶(自带侧开挡板),水冷;
    3. 靶基距120-200mm可调,用光轴加直线轴承导向,可手动连续调节,有刻度指示;三靶共溅射,靶可摆角度,角度为0~45℃;
    4. 样品加热:采用碘钨灯加热方式对样品进行加热,样品***高可加热400℃;
    5. 磁控溅射样品有效尺寸:Φ60mm,一次只镀1片;镀膜时样品架实现自转,自转转速为0~50转/分;样品加负偏压0-200V可调;
    6. 气体控制:气体流量通过两路质量流量控制器控制,流量范围为:0~50 sccm;
    7. 系统带有手动控制功能,主要实现样品的加热控制;样品的旋转控制;磁控靶档板的控制;真空度的采集。

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